DN3765K4-G

规格参数

• 宽（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
• 场效应管特性 耗尽型
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
• 制造厂商 微芯 (Microchip)
• 供应商设备包装 TO-252-3
• 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
• 漏源电压标 (Vdss) 650 V
• 最大功耗 2.5W（Ta）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 300毫安 (Tj)
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 0伏
• 导通电阻 Rds(ON) 8欧姆 @ 150毫安, 0V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 825 pF @ 25 V