这款SuperMESH3功率MOSFET是STMicroelectronics的SuperMESH技术的改进成果，结合了新的优化垂直结构。该器件具有极低的导通电阻、优异的动态性能和高雪崩能力，因此适合最苛刻的应用。
特色
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 网关费用最小化
- Verylowintrinsic电容
- 改进的柴油机恢复特性
- 齐纳保护
STN3N40K3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A（Tc） 最大功耗: 3.3W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.49307 | 1.49307 |
- 库存: 42
- 单价: ¥1.49307
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数量:
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11 nC@10 V
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 漏源电压标 (Vdss) 400伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 50A
- 供应商设备包装 SOT-223
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.8A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 3.4欧姆@600毫安，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 165 pF@50 V
- 最大功耗 3.3W（Ta）
STN3N40K3 产品详情
STN3N40K3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | STN101050B301 | 伊顿 (Eaton) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 5V (Max) 最大钳位电压: 16伏 供应商设备包装: DFN1006-2L 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） 安装类别: 表面安装 | ¥2.88656 |
 | STN061050BL15 | 伊顿 (Eaton) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 5V (Max) 最大钳位电压: 17伏 供应商设备包装: DFN0603-2L 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TJ） 安装类别: 表面安装 | ¥2.23708 |
 | STNRG011A | DISCRETE | ¥0.00 | |
| STNRG012 | DISCRETE | ¥0.00 | |
| STNRG011ATR | DIGITAL COMBO MULTI-MODE PFC AND | ¥0.00 | |
| STNRG328STR | DISCRETE | ¥0.00 | |
| STN-5.0' | Sampling Tube for SL-2000/RT3000 | ¥0.00 | |
| STN-1.0' | Sampling Tube for SL-2000/RT3000 | ¥0.00 | |
| STN-10.0' | Sampling Tube for SL-2000/RT3000 | ¥0.00 | |
| STN-2.5' | Sampling Tube for SL-2000/RT3000 | ¥0.00 |
STN3N40K3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STN3N40K3 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STN3N40K3价格参考￥1.493073，你可以下载 STN3N40K3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STN3N40K3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
