特色
- 最大rDS（开启）=100 mΩ VGS=10 V，ID=3.3 A时
- 最大rDS（开启）=145 mΩ VGS=4.5 V，ID=2.7 A时
- 用于极低rDS的高性能沟槽技术（开启）
- 广泛使用的表面安装封装具有高功率和电流处理能力
- HBM ESD保护等级>3 KV典型值（注4）
- 100%UIL测试
- 符合RoHS
应用
- 家用电器
- DC-DC开关
FDT86113LZ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A（Tc） 最大功耗: 2.2W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.24290 | 7.24290 |
| 10+ | 6.48963 | 64.89638 |
| 100+ | 5.05771 | 505.77170 |
| 500+ | 4.17799 | 2088.99700 |
| 1000+ | 3.49832 | 3498.32100 |
| 4000+ | 3.49832 | 13993.28400 |
- 库存: 3123
- 单价: ¥7.24290
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.24
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 SOT-223-4
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.3A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@3.3A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 315 pF @ 50 V
- 最大功耗 2.2W（Ta）
FDT86113LZ 产品详情
该N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的Power Trench®工艺生产，该工艺经过特殊定制，可最大限度地降低导通电阻，同时保持优异的开关性能。已添加G-S齐纳以提高ESD电压水平。
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| FDT21624046BR | 8" STANDARD DUCT, 15'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT21624076BR | 8" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT1615BR | 16" STANDARD DUCT, 15'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT0815CBB | 8" CONDUCTIVE DUCT 15'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT1625BR | 16" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT1215CBB | 12" CONDUCTIVE DUCT 15'L W/STRAP | ¥0.00 |
FDT86113LZ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDT86113LZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDT86113LZ价格参考￥7.242900，你可以下载 FDT86113LZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDT86113LZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
