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STP7NK40Z

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.55418 4.55418
  • 库存: 50
  • 单价: ¥4.55418
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.55
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26 nC@10 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 漏源电压标 (Vdss) 400伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.4A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1欧姆@2.7A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 50A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 535 pF @ 25 V
  • 最大功耗 70W (Tc)

STP7NK40Z 产品详情

这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET,使用STMicroelectronics的SuperMESH技术开发,这是对成熟的PowerMESH的优化。除了导通电阻的显著降低外,这些器件的设计确保了高水平的dv/dt能力,以满足最苛刻的应用。

特色

  • 极高的dv/dt能力
  • 100%雪崩测试
  • 网关费用最小化
  • Verylowintrinsic电容
  • 齐纳保护
STP7NK40Z所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STP7NK40Z 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STP7NK40Z价格参考¥4.554181,你可以下载 STP7NK40Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STP7NK40Z规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

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