FDN028N20
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Tc) 最大功耗: 1.5W（Tc） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.25664 | 1.25664 |
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-
数量:
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 600 pF @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6.1A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@5.2A，4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
- 最大功耗 1.5W（Tc）
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FDN028N20所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN028N20 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN028N20价格参考￥1.256643，你可以下载 FDN028N20中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN028N20规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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