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ZXMN3F30FHTA

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.53211 3.53211
10+ 3.03473 30.34736
100+ 2.26487 226.48790
500+ 1.77932 889.66050
1000+ 1.37493 1374.93000
3000+ 1.25361 3760.83900
6000+ 1.17273 7036.41000
  • 库存: 138771
  • 单价: ¥3.53212
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.53
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.8A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 47毫欧姆 @ 3.2A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.7 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 318 pF @ 15 V
  • 最大功耗 950毫瓦(Ta)

ZXMN3F30FHTA 产品详情

ZXMN3F30FHTA所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ZXMN3F30FHTA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXMN3F30FHTA价格参考¥3.532116,你可以下载 ZXMN3F30FHTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXMN3F30FHTA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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