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CPH6350-TL-W

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.11648 4.11648
10+ 3.35096 33.50962
100+ 2.28284 228.28430
500+ 1.71216 856.08400
1000+ 1.28405 1284.05400
3000+ 1.17709 3531.29100
6000+ 1.13492 6809.53200
  • 库存: 44931
  • 单价: ¥4.11648
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.12
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 高度(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 SOT-23-6
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 43毫欧姆 @ 3A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 600 pF @ 10 V
  • 最大功耗 1.6W(Ta)
  • 供应商设备包装 6-CPH

CPH6350-TL-W 产品详情

CPH6350-P-TL-E是P沟道功率MOSFET,-30V,-6A,43mΩ,单CPH6,用于通用开关器件应用。

特色

  • 4.0V栅极驱动
  • 低导通电阻
  • 保护二极管输入

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用
CPH6350-TL-W所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CPH6350-TL-W 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CPH6350-TL-W价格参考¥4.116483,你可以下载 CPH6350-TL-W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CPH6350-TL-W规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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