9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN4R3-30PL，127，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN4R3-30PL，127价格参考1.64000美元。Nexperia USA Inc.PSMN4R3-30PL，127封装/规格：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB。您可以下载PSMN4R3-30PL，127英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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PSMN4R2-60PLQ是MOSFET N沟道MOSFET，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为263 W，器件的下降时间为72 ns，器件的上升时间为97 ns，Id连续漏极电流为130 a，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.45 V，Rds漏极源极电阻为8.6 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为84ns，典型接通延迟时间为47ns，Qg栅极电荷为151nC。
PSMN4R3-100PS，127是MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于与to-220AB供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于4.3 mOhm@25A，10V，提供功率最大特性，如338W，封装设计用于管内，以及to-220-3封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供9900pF@50V输入电容Cis-Vds，该器件具有170nC@110V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为120A（Tc）。
PSMN4R3-30BL，带有NXP制造的电路图。是FET的一部分-单个。
PSMN4R3-30PL是NXP制造的MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB。PSMN4R3-30PL在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB。
