新一代100V N沟道增强型MOSFET的设计旨在最大限度地减少RDS（开启），同时保持优异的开关性能。该设备非常适合DC/DC电源管理和主板/服务器应用
DMN10H170SK3-13
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.69423 | 4.69423 |
| 10+ | 4.13092 | 41.30927 |
| 100+ | 3.16535 | 316.53590 |
| 500+ | 2.50238 | 1251.19400 |
| 1000+ | 2.00191 | 2001.91100 |
| 2500+ | 1.81421 | 4535.53250 |
| 5000+ | 1.70617 | 8530.87000 |
- 库存: 47067
- 单价: ¥4.69424
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.69
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 供应商设备包装 TO-252-3
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 140毫欧姆@5A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.7 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1167 pF@25 V
- 最大功耗 42W (Tc)
- 色彩/颜色 灰色
DMN10H170SK3-13 产品详情
DMN10H170SK3-13 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DMNF1-285-C | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米） 端接: 压接 | ¥4.85312 |
| DMNF1-488FIB-M | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥3.46651 |
| DMNF6-63M-L | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 公接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥2.78765 |
 | DMN62D0LFB-7B | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.64643 |
 | DMN3029LFG-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 | ¥1.20302 |
 | DMN3029LFG-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.20302 |
| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.74493 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50054 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.31136 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29602 |
DMN10H170SK3-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN10H170SK3-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN10H170SK3-13价格参考￥4.694235，你可以下载 DMN10H170SK3-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN10H170SK3-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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