该N沟道功率MOSFET采用STripFET F7技术,具有增强的沟槽栅极结构,导致极低的导通电阻,同时还减少了内部电容和栅极电荷,以实现更快、更高效的切换。
特色
- 在市场上排名靠后的RDS中
- 卓越绩效指标(FOM)
- EMI免疫的低Crss/Cissratio
- 高雪崩强度
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.75886 | 12.75886 |
10+ | 11.43252 | 114.32522 |
100+ | 9.19143 | 919.14310 |
500+ | 7.55137 | 3775.68800 |
1000+ | 6.86492 | 6864.92000 |
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该N沟道功率MOSFET采用STripFET F7技术,具有增强的沟槽栅极结构,导致极低的导通电阻,同时还减少了内部电容和栅极电荷,以实现更快、更高效的切换。
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