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PMPB33XP,115

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta)、12.5W(Tc) 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.89361 3.89361
10+ 3.12931 31.29314
100+ 2.13211 213.21150
500+ 1.59897 799.48900
1000+ 1.19923 1199.23400
3000+ 1.09929 3297.89400
6000+ 1.03267 6196.03800
  • 库存: 3939
  • 单价: ¥3.89362
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.89
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.5A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 37毫欧姆 @ 5.5A, 4.5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1575 pF@10 V
  • 最大功耗 1.7W(Ta)、12.5W(Tc)
  • 供应商设备包装 DFN2020MD-6

PMPB33XP,115 产品详情

PMPB33XP,115所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMPB33XP,115 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMPB33XP,115价格参考¥3.893616,你可以下载 PMPB33XP,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMPB33XP,115规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

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Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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