9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD220PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD220PBF参考价格为1.56000美元。Vishay Siliconix IRFD220PBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP。您可以下载IRFD220PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFD214是MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP，包括管封装，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于HVMDIP-4，提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.6 ns，上升时间为7.6纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为450 mA，Vds漏极-源极击穿电压为250 V，Rds漏极源极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
IRFD214PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP。IRFD214PBF可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH250V 450MA4-DIP、N沟道250V 450MA（Ta）1W（Ta）通孔4-DIP，Hexdip，HVMDIP，Trans MOSFET N-CH250V 0.45A 4引脚HVMDIP。
IRFD220是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP。IRFD220可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 800MA4-DIP，N沟道200V 800MA（Ta）1W（Ta）通孔4-DIP、Hexdip、HVMDIP、Trans MOSFET N-CH200V 0.8A 4-引脚HVMDIP。
