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CSD13201W10

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 1.2W(Ta) 供应商设备包装: 4-DSBGA(1x1) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.75538 3.75538
10+ 3.06208 30.62086
100+ 2.08424 208.42400
500+ 1.56339 781.69850
1000+ 1.17254 1172.54800
3000+ 1.07483 3224.50500
6000+ 1.03634 6218.05800
  • 库存: 10793
  • 单价: ¥3.75539
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.76
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 高度(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.6A(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.9 nC @ 4.5 V
  • 供应商设备包装 4-DSBGA(1x1)
  • 包装/外壳 4-UFBGA,DSBGA
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 34毫欧姆 @ 1A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 462 pF @ 6 V
  • 最大功耗 1.2W(Ta)

CSD13201W10 产品详情

CSD13201W10所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD13201W10 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD13201W10价格参考¥3.755388,你可以下载 CSD13201W10中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD13201W10规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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