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CSD13381F4是MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为在3-XFDFN和Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的3-PICOSTAR，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为200pF@6V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为2.1A（Ta），最大Id Vgs的Rds为180mOhm@500mA，4.5V，Vgs的最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.4nC@4.5V，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.8 ns，上升时间为1.5ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs第栅极-源阈值电压为850mV，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型导通延迟时间为3.7ns，Qg栅极电荷为1.06nC。
CSD13383F4T是MOSFET 12V N沟道FemtoFET MOSFET，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于12 V，提供典型的开启延迟时间功能，如39 ns，典型的关闭延迟时间设计为96 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为FemtoFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD13383F4系列，上升时间为123纳秒，漏极源极电阻Rds为44毫欧，Qg栅极电荷为2 nC，Pd功耗为500毫瓦，封装为卷轴式，封装外壳为SMD-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.9 A，正向跨导最小值为5.4 S，下降时间为315 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD13381F4T是MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR，包括2.1A（Ta）电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V漏极到源极电压Vdss下工作。数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供了FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了200pF@6V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用3-XFDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为500mW，最大Id Vgs为180mOhm@500mA，4.5V，系列为FemtoFET？，供应商设备包为3-PICOSTAR，Vgs th Max Id为1.1V@250μA。
CSD13383F4是MOSFET CSD13383F412-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR，包括SMD/SMT安装样式，它们设计为使用单一配置操作，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷轴等封装功能，包装盒设计为在PICOSTAR-3中工作，以及NexFET商品名，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该系列为CSD13383F4，器件提供53 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有500 mW的Pd功耗，Id连续漏极电流为2.9 a，Qg栅极电荷为2 nC，Vds漏极源极击穿电压为12 V，Vgs栅极-源极电压为10 V，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道。
