起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 10.76063 | 10.76063 |
| 10+ | 9.64123 | 96.41237 |
| 100+ | 7.51655 | 751.65540 |
| 500+ | 6.20953 | 3104.76700 |
| 1000+ | 5.19940 | 5199.40700 |
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Fairchild Semiconductor的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术，为广泛的应用提供一流的运行性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、DC-DC转换器、等离子显示面板（PDP）、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻（RDS（on））降低导通状态损耗，通过降低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）降低开关损耗。通过使用先进的QFET®工艺技术，Fairchild可以提供优于竞争对手的平面MOSFET器件的改进的品质因数（FOM）。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQP572VVF075N | 泛达 (Panduit) | PATCHCORD FIBER OPTIC | ¥721.77511 |
| FQPF6N50C | 3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥4.76645 | |
| FQP3N50CTF | 21A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥2.6721 | |
| FQPF9N25CRDTU | 8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥3.39429 | |
 | FQP22N30 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.47118 |
 | FQP27P06 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Tc） 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.74374 |
 | FQPF47P06 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.11008 |
 | FQPF7N80C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 56W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.06011 |
 | FQPF4N90C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.52513 |
 | FQPF8N80CYDTU | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 59W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.97147 |
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