特色
- 4.Ｖ-驱动器类型
- Pch小信号MOSFET
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RSM002P03T2L
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: VMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.37772 | 0.37772 |
- 库存: 500
- 单价: ¥0.37772
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.38
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 高度（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 1.4欧姆@200毫安，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 30 pF @ 10 V
- 最大功耗 150mW（Ta）
- 供应商设备包装 VMT3
- 包装/外壳 SOT-723
RSM002P03T2L 产品详情
MOSFET通过适用于低电流消耗移动设备的微处理技术制成超低导通电阻。在广泛的阵容中，包括紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场需求。
RSM002P03T2L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RSMF3GT1R00 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 1欧姆 公差: ±2% 功率（瓦特）: 3瓦 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~235摄氏度 | ¥0.71507 |
 | RSMF3GT1K30 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 1.3千欧姆 公差: ±2% 功率（瓦特）: 3瓦 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~235摄氏度 | ¥0.71507 |
 | RSMF3GT10K0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 10千欧姆 公差: ±2% 功率（瓦特）: 3瓦 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~235摄氏度 | ¥0.71507 |
 | RSMF3GT18K0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 18 kOhms 公差: ±2% 功率（瓦特）: 3瓦 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~235摄氏度 | ¥0.71507 |
 | RSMF3GT20K0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 20千欧姆 公差: ±2% 功率（瓦特）: 3瓦 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~235摄氏度 | ¥0.71507 |
 | RSMF3GT5K10 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 5.1 kOhms 公差: ±2% 功率（瓦特）: 3瓦 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~235摄氏度 | ¥0.71507 |
 | RSMF3GTR100 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 100毫欧姆 公差: ±2% 功率（瓦特）: 3瓦 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~235摄氏度 | ¥0.71507 |
 | RSMF3GT100R | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 100欧姆 公差: ±2% 功率（瓦特）: 3瓦 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~235摄氏度 | ¥0.71507 |
 | RSMF3GT1R20 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 1.2欧姆 公差: ±2% 功率（瓦特）: 3瓦 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~235摄氏度 | ¥0.71507 |
 | RSMF3GT33K0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 33 kOhms 公差: ±2% 功率（瓦特）: 3瓦 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~235摄氏度 | ¥0.71507 |
RSM002P03T2L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RSM002P03T2L 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RSM002P03T2L价格参考￥0.377720，你可以下载 RSM002P03T2L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RSM002P03T2L规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
