9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMN2A14FTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN2A14FTA价格参考0.63000美元。Diodes Incorporated ZXMN2A14FTA封装/规格：MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3。您可以下载ZXMN2A14FTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN2A04DN8TA是MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC，包括ZXMN2A系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2信道数量的信道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为1.8W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1880pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.9A，最大值Vgs为25 mOhm@5.9A，4.5V，Vgs最大值Id为700mV@250μA（最小值），栅极电荷Qg-Vgs为22.1nC@5V，Pd功耗为2.1W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30.6 ns，上升时间为14.8 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为7.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为35 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50.5ns，典型接通延迟时间为7.9ns，沟道模式为增强。
ZXMN2A03E6TA是MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6，包括700mV@250μA Vgs th Max Id，设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供单位重量功能，如0.000529 oz，典型开启延迟时间设计为4.7 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-6，系列为ZXMN2A，上升时间为5.7 ns，Rds On Max Id Vgs为55 mOhm@7.2A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为100 mOhm，功率最大值为1.1W，Pd功耗为1.1W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为SOT-23-6，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为837pF@10V，Id连续漏极电流为4.6 A，栅极电荷Qg Vgs为8.2nC@4.5V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为5.7 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.7A（Ta），配置为单四漏极，并且信道模式是增强。
ZXMN2A04DN8TC是MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC，包括5.9A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在22.1nC@5V下工作，除了1880pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有带卷（TR）交替封装，最大功率为1.8W，最大Id Vgs的Rds为25 mOhm@5.9A，4.5V，供应商器件封装为8-SOP，Vgs最大Id为700mV@250μa（最小）。
