- 适用于开关（电机驱动等）和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
特色
高击穿电压（VDSS=1500V）高速开关低驱动电流无二次击穿适用于开关调节器
应用高速电源开关
2SK1835-E
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 61.84374 | 61.84374 |
- 库存: 5
- 单价: ¥61.84375
-
数量:
- +
- 总计: ¥61.84
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 高度（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 通孔
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 最大功耗 125W（Tc）
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 15伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 漏源电压标 (Vdss) 1500伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 7欧姆 @ 2A, 15V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1700 pF@10 V
- 供应商设备包装 TO-3P
2SK1835-E 产品详情
2SK1835-E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SK1958-T1-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET | ¥0.44757 |
| 2SK1581-T1B-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1581-T1B-A - SWITCHING N-CHAN | ¥1.16726 |
| 2SK3377-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3377-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥5.5318 |
| 2SK2054-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2054 - SWITCHING P-CHANNEL PO | ¥5.53569 |
| 2SK3435-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥17.3176 |
| 2SK3435-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥17.3176 |
| 2SK3431-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3431-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥19.04164 |
| 2SK2461-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF | ¥19.8665 |
| 2SK3447TZ-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL | ¥2.74316 |
| 2SK3455B-S17-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3455B - SWITCHING N-CHANNEL P | ¥22.34006 |
2SK1835-E所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SK1835-E 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK1835-E价格参考￥61.843747，你可以下载 2SK1835-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK1835-E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
