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DMN1004UFV-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 (Type UX) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.46920 4.46920
10+ 3.82766 38.27660
100+ 2.85741 285.74100
500+ 2.24512 1122.56400
1000+ 1.73484 1734.84600
2000+ 1.58181 3163.62200
  • 库存: 3369
  • 单价: ¥4.46921
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.47
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 70A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.8毫欧姆 @ 15A, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 47 nC @ 8 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2385 pF@6 V
  • 最大功耗 1.9W(Ta)
  • 供应商设备包装 PowerDI3333-8 (Type UX)

DMN1004UFV-7 产品详情

DMN1004UFV-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN1004UFV-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN1004UFV-7价格参考¥4.469208,你可以下载 DMN1004UFV-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN1004UFV-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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