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FCH072N60F

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 481W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 32.36676 32.36676
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 52A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 72毫欧姆 @ 26A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 215 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8660 pF @ 100 V
  • 最大功耗 481W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-247-3

FCH072N60F 产品详情

SuperFET®和SuperFET™II N沟道MOSFET,Fairchild半导体

Fairchild使用超级结技术添加了SuperFET®II高压功率MOSFET系列。它在AC-DC开关模式电源(SMPS)应用(如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器、照明应用)中提供了一流的稳健体二极管性能,这些应用需要高功率密度、系统效率和可靠性。
利用先进的电荷平衡技术,设计人员可以获得更高效、更经济、更高性能的解决方案,从而占用更少的电路板空间并提高可靠性。

特色

  • 650 V@TJ=150°C
  • 类型。RDS(开启)=66 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型Qg=95 nC)
  • 低有效输出电容(典型cos(eff.)=421 pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS

应用

  • 工业电源
  • 电信/服务器电源
FCH072N60F所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCH072N60F 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCH072N60F价格参考¥32.366765,你可以下载 FCH072N60F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCH072N60F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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