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IRFU014PBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-251AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 10.45508 10.45508
10+ 9.35909 93.59099
100+ 7.29692 729.69250
500+ 6.02789 3013.94700
1000+ 4.75886 4758.86400
  • 库存: 853
  • 单价: ¥10.45508
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.46
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 高度(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.7A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 200欧姆@4.6A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 300 pF @ 25 V
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、25W(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-251AA
  • 包装/外壳 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA

IRFU014PBF 产品详情

IRFU014PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFU014PBF 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFU014PBF价格参考¥10.455080,你可以下载 IRFU014PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFU014PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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