9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP30N10N3GXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP30N10N3GXKSA1参考价格$6.83000。Infineon Technologies IPP30N10N3GXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3。您可以下载IPP30N10N3GXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP29N06NAKSA1是MOSFET N-Ch 60V 100A TO220-3，包括IPP229N06系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP229NO6N IPP29NO6NXK SP000917404，提供6 g等单位重量功能，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该设备为单配置，该设备具有TO-220-3封装外壳，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型导通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为56nC，并且正向跨导Min为160S。
IPP229N06N是MOSFET N-CH 60V 24A TO220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，技术为Si，器件为XPP029N06系列，器件的上升时间为15 ns，漏极-源极电阻Rds为2.9 mOhms，Qg栅极电荷为56 nC，Pd功耗为136 W，部件别名为IPP29N06NAKSA1 IPP29NO6NXK SP000917404，封装为Tube，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为100 A，正向跨导最小值为160 S/80 S，下降时间为8 ns。
IPP30N10N，带有INFINEON制造的电路图。IPP30N10N提供TO-220封装，是FET的一部分-单个。
