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PSMN016-100YS，115是MOSFET N-CH LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8以及MOSFET N沟道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作117W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件提供2744pF@50V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为51A（Tc），最大Id Vgs的Rds为16.3 mOhm@15A、10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为54nC@10V。
PSMN016-100XS是NXP制造的MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F。PSMN016-100XS提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单，支持MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F。
PSMN016-100YS，带有NXP制造的电路图。PSMN016-100YS采用LFPAK封装，是FET的一部分-单体。
PSMN017-30LL，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN017-30LL在QFN3333封装中提供，是FET的一部分-单个。
