9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6702M2DTR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6702M2DTR1PBF参考价格为0.81美元。Infineon Technologies IRF6702M2DTR1PBF封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET。您可以下载IRF6702M2DTR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF6691TRPBF是MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装情况如数据表注释所示，用于DirectFET-3，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及1 N信道晶体管类型，该器件也可以用作2W Pd功率耗散。此外，Vgs栅极-源极电压为12V，器件提供32A Id连续漏极电流，器件具有20V的Vds漏极-源极击穿电压，漏极-漏极电阻Rds为1.8mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为47nC。
IRF6691TR1是由IR制造的MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET。IRF6691TR1可用于DIRECTFET™ 等轴测MT封装是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET、Trans MOSFET N-CH20V 32A 7引脚直接FET MT T/R。
IRF6691TR1PBF，带有由IR制造的电路图。IRF6691TR1PBF采用QFN封装，是IC芯片的一部分，N通道20V 32A（Ta）、180A（Tc）2.8W（Ta）和89W（Tc）表面安装DIRECTFET？MT，Trans MOSFET N-CH Si 20V 32A 7引脚直接FET MT T/R。
IRF6691TR1PRF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRF6691TR1PRF采用DIRECTFET封装，是IC芯片的一部分。
