STS3DNE60L

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STS3C2F100是MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC，包括STripFET？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，功率最大值为2W，器件提供100V漏极到源极电压Vdss，器件具有460pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3A，最大Id Vgs上的Rds为145 mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V。

STS3622，带有SAMHOP制造的用户指南。STS3622采用SOT-26封装，是IC芯片的一部分。

STS3623，电路图由SAMHOP制造。STS3623采用SOT26封装，是IC芯片的一部分。