9icnet为您提供由onsemi设计和生产的2SK4067-N-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2SK4067-N-TL-E参考价格为0.14000美元。onsemi 2SK4067-N-TL-E包装/规格：NCH 4V驱动系列。您可以下载2SK4067-N-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2SK4066-DL-E是MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供1.65 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为3.6 mΩ，晶体管极性为N沟道。
2SK4066-E是MOSFET功率MOSFET，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作3.6mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1.65W，器件采用散装封装，器件具有TO-252-3封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为100 a，配置为单通道。
2SK4066-DL-1E是MOSFET NCH 4V DRIVE系列，包括100 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行。to-262-3中使用的数据表说明中显示了封装情况，该封装提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计为4.7 mOhms，以及2SK4066系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件的单位重量为0.073511盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60 V。
