9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH4251DTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH4251DTRPBF参考价格为1.35000美元。Infineon Technologies IRFH4251DTRPBF封装/规格：MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN。您可以下载IRFH4251DTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRFH4251DTRPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFH4234TRPBF是MOSFET N-CH 25V 22A PQFN，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，商品名显示在FastIRFet的数据表注释中，FastIRFet提供封装盒功能，如PQFN-8，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.3 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为22 A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8ns，典型接通延迟时间为7.8ns，Qg栅极电荷为17nC，正向跨导最小值为60S。
IRFH4226TRPBF和IR制造的用户指南。IRFH4226 TRPBF采用QFN8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET MOSFET、N沟道25V 30A（Ta）、70A（Tc）3.4W（Ta），46W（Tc）表面安装8-PQFN（5x6）、Trans-MOSFET N-CH 25V 30B 8-Pin PQFN EP T/R、MOSFET、25V、70A 2.4 mo、16nC、PQFN5x6”。
IRFH4234PBF带有由IR制造的电路图。IRFH4234FBF采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
