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BSC750N10ND G是MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON，包括OptiMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于BSC750N10NDGATMA1 BSC750N110NDGXT SP000359610的零件别名，该设备提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及8-PowerVDFN封装盒，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有1个通道数，供应商设备包为PG-TDSON-8（5.15x6.15），配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），最大功率为26W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为720pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.2A，最大Id Vgs的Rds为75mOhm@13A，10V，Vgs的最大Id为4V@12μA，栅极电荷Qg-Vgs为11nC@10V，Pd功耗为1.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为4纳秒，上升时间为4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为75毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13纳秒，典型开启延迟时间为9ns，信道模式为增强。
BSC750N10ND，带有FEELING制造的用户指南。BSC750N10ND采用QFN封装，是FET阵列的一部分。
BSC750N10NDG，带有INFINEON制造的电路图。BSC750N10NDG采用TSON-8封装，是FET阵列的一部分。
