9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7102，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。IRF7102参考价格$1.1。Infineon Technologies IRF7102封装/规格：MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC。您可以下载IRF7102英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7101TRPBF是MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为320pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.5A，Rds On Max Id Vgs为100 mOhm@1.8A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为3.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，第Vgs栅极源极阈值电压为3 V，Rds漏极-源极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为15nC，正向跨导Min为1.1S。
IRF7101TR（白色），带有IOR制造的用户指南。IRF7101TR（白色）采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
irf7101转/分。电路图由IR制造。IRF7101TRPBF。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
