9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON7900，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON7900参考价格为2.696美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON7900封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN。您可以下载AON7900英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON7826是MOSFET 2N-CH 20V 9A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与8-PowerSMD、扁平引线封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（3x3）以及2 N通道（双）FET类型中工作，该器件还可以用作3.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供630pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9A，最大Id Vgs上的Rds为23mOhm@9A，10V，Vgs最大Id为1.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V。
带用户指南的AON7812，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-DFN（3x3）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于14.5 mOhm@6A，10V，提供4.1W等功率最大功能，封装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供600pF@15V输入电容Cis Vds，该器件具有15nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为6A。
AON7820是MOSFET 2N-CH 20V 8DFN，包括20V漏极到源极电压Vdss，它们设计用于逻辑电平栅极FET功能，FET类型如数据表注释所示，用于2 N沟道（双）公共漏极，提供22nC@4.5V的栅极电荷Qg-Vgs功能，输入电容Cis-Vds设计用于2065pF@10V，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为8-PowerSMD，扁平引线，设备采用磁带和卷轴（TR）包装，设备最大功率为3.1W，供应商设备包装为8-DFN（3x3），Vgs最大Id为1V@250μa。
