特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 针对4.5 V栅极驱动电压（称为逻辑电平）进行优化，并能够在2.5 V栅极驱动电流（称为超级逻辑电平）下驱动
- 行业标准表面安装电源组件
- 高RDS（ON）PQFN 3.3x3.3封装的潜在替代品
IRLHS6376TR2PBF
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 6-PQFN (2x2)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥1,137.52642
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,137.53
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规格参数
- 工作温度 -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 部件状态 过时的
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@10A.
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 6-VDFN Exposed Pad
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.6A
- 最大功率 1.5瓦
- 供应商设备包装 6-PQFN (2x2)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 270皮法@25V
- 导通电阻 Rds(ON) 63毫欧姆 @ 3.4A, 4.5V
IRLHS6376TR2PBF 产品详情
IRLHS6376TR2PBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRLB8721PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.9812 |
 | IRLML6401 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,4.3A | ¥0.38966 |
 | IRLML6402 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.7A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3.7A | ¥0.47369 |
| IRLML6244TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML0030TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41637 |
| IRLML6246TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML2803TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4118 |
| IRLML0100TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.68776 |
IRLHS6376TR2PBF所属分类：场效应晶体管阵列，IRLHS6376TR2PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRLHS6376TR2PBF价格参考￥1137.526417，你可以下载 IRLHS6376TR2PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRLHS6376TR2PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
