9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMD63P03XTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMD63P03XTA参考价格为1.37美元。Diodes Incorporated ZXMD63P03XTA封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP。您可以下载ZXMD63P03XTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXMD63P02XTA是MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP，包括ZXMD63系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004938盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，设备提供2通道数量的通道，设备具有供应商设备包的8-MSOP，配置为双双漏极，FET类型为2 P通道（双），功率最大值为1.04W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为290pF@15V，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为270 mOhm@1.2A、4.5V，Vgs th Max Id为700mV@250μA（Min），栅极电荷Qg-Vgs为5.25nC@4.5V，Pd功耗为870 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为9.6 ns，上升时间为9.6纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为-1.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为270毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为16.4ns，典型接通延迟时间为3.4ns，信道模式为增强。
ZXMD63P02XTC是MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP，包括700mV@250μA（最小）Vgs和最大Id，它们设计用于与8-MSOP供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于270 mOhm@1.2A，4.5V，提供1.04W等最大功率特性，包装设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装，以及8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供290pF@15V输入电容Ciss Vds，器件具有5.25nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V。
ZXMD63N03XTC是MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP，包括2.3A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于8nC@10V，除了290pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件在8-TSSOP中提供，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）包装箱，该设备具有胶带和卷轴（TR）交替包装，最大功率为1.04W，最大Id Vgs的Rds为135 mOhm@1.7A，10V，供应商设备包装为8-MSOP，最大Id的Vgs为1V@250μa（最小）。
