LN60A01ES-LF-Z

Name: LN60A01ES-LF-Z
Brand: 芯源系统 (Monolithic Power)
SKU: 7121602-LN60A01ES-LF-Z
Price: 1539.166402 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 3 N通道，公共门场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -20摄氏度~125摄氏度（TJ）
品牌: 芯源系统 (Monolithic Power)
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规格参数

总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
安装类别表面安装
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
部件状态过时的
场效应管特性标准
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SOIC
最大功率 1.3瓦
漏源电压标 (Vdss) 600V
漏源电流 (Id) @ 温度 80毫安
制造厂商芯源系统 (Monolithic Power)
场效应管类型 3 N通道，公共门
导通电阻 Rds(ON) 190欧姆@10毫安，10V
工作温度 -20摄氏度~125摄氏度（TJ）

LN60A01ES-LF-Z 产品详情

LN60A01ES-LF-Z单片电源系统，MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Mosfet阵列3 N沟道，共栅600V 80mA 1.3W 8-SOIC
MOSFET 600V，3 N沟道FET

特色

600V击穿电压
三个N沟道MOSFET
所有三个FET的单栅极控制
Vgs=10V时，Rds（开）=200Ω
开关电流>0.1A
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型号	制造商	描述	价格
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LN6206P332MR-G	南麟 (natlinear)	输出类型：固定输出极性：正最大输入电压：6V 输出电压：3.3V 输出电流：250mA 电源纹波抑制比(PSRR)：40dB@(1kHz)	¥0.23383
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LN60A01ES-LF-Z所属分类：场效应晶体管阵列，LN60A01ES-LF-Z 由芯源系统 (Monolithic Power) 设计生产，可通过久芯网进行购买。LN60A01ES-LF-Z价格参考￥1539.166402，你可以下载 LN60A01ES-LF-Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询LN60A01ES-LF-Z规格参数、现货库存、封装信息等信息！