9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6983DQ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6983DQ-T1-GE3参考价格为187.894美元。Vishay Siliconix SI6983DQ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP。您可以下载SI6983DQ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI6981DQ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR封装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包，该设备也可作为2 P通道（双通道）使用FET类型。此外，最大功率为830mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为4.1A，最大Id Vgs的Rds为31 mOhm@4.8A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@300μa，栅极电荷Qg Vgs为25nC@4.5V。
SI6981DQ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP，包括900mV@300μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如31 mOhm@4.8A，4.5V，Power Max设计用于830mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有25nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.1A。
SI6983DQ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP，包括4.6A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在30nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），设备采用Digi-ReelR包装，设备最大功率为830mW，Rds On Max Id Vgs为24 mOhm@5.4A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包装为8-TSSSOP，Vgs th Max Id为1V@400μa。
