9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6973DQ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6973DQ-T1-GE3参考价格74.594美元。Vishay Siliconix SI6973DQ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP。您可以下载SI6973DQ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI6973DQ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了SI6973DQ E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.005573盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为8-TSSOP，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为830mW，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.1A，最大Id Vgs的Rds为30mOhm@4.8A，4.5V，Vgs最大Id为450mV@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为30nC@4.5V，Pd功耗为830 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为27 ns，上升时间为27纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为30 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为93ns，典型接通延迟时间为27ns，信道模式为增强。
SI6969DQ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP，包括450mV@250μA（Min）Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如34mOhm@4.6A，4.5V，Power Max设计用于1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有40nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V。
SI6969DQ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP，包括12V漏极到源极电压Vdss，它们设计用于逻辑电平栅极FET功能，FET类型如数据表注释所示，用于2 P通道（双通道），提供栅极电荷Qg Vgs功能，如40nC@4.5V，安装类型设计用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）包装箱使用。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的最大功率为1.1W，该设备在4.6A时具有34mOhm，最大Id Vgs时的Rds为4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包装为8-TSSOP，Vgs最大Id为450mV@250μa（最小）。
