9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4542DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4542DY-T1-E3参考价格为1.92美元。Vishay Siliconix SI4542DY-T1-E3封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC。您可以下载SI4542DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4542DY是MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4542DY_NL中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为1W，晶体管类型为1个N通道1个P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为830pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs的Rds为28mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13nC@5V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns 18 ns，上升时间为10ns 22ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为28mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为18ns 47ns，典型接通延迟时间为6ns 13ns，并且前向跨导Min为18S 16S，并且信道模式为增强。
SI4542DY-NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。SI4542DY-NL采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI4542DY-T1，带有KEXIN制造的电路图。SI4542DY-T1在SOP08封装中提供，是FET阵列的一部分。
