9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDS6986S,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS6986S参考价格为0.46000美元。其他FDS6986S封装/规格:N沟道功率MOSFET。您可以下载FDS6986S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,如FDS6986S价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
FDS6986AS是MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC,包括PowerTrenchR、SyncFET?系列,它们设计为与Digi-ReelR封装一起使用,数据表注释中显示了用于FDS6986AS_NL的零件别名,该产品提供单位重量功能,如0.006596盎司,安装样式设计为适用于SMD/SMT,除了8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装外壳外,该器件还可以用作硅技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ,最大功率为900mW,晶体管类型为2 N沟道,漏极-源极电压Vdss为30V,输入电容Cis-Vds为720pF@10V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为6.5A、7.9A,最大Rds Id Vgs为29 mOhm@6.5A、10V,Vgs最大Id为3V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为17nC@10V,Pd功耗为2W,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,下降时间为3 ns,上升时间为9 ns,Vgs栅源电压为16 V 20 V,Id连续漏电流为6.5 A,Vds漏源击穿电压为30 V,Rds漏源电阻为20 mOhms,并且晶体管极性是N沟道,并且典型关断延迟时间是24ns,并且典型接通延迟时间是10ns,并且正向跨导Min是25S 15S,并且沟道模式是增强。
FDS6986,带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDS6986在SOP-8封装中提供,是FET阵列的一部分。
FDS6986AS_NL,带有FSC制造的电路图。FDS6986AS_NL在SOP8封装中提供,是IC芯片的一部分。