MMRF1306HR5

描述:晶体管类别: LDMOS（双）额定电压: 133伏频率: 230兆赫输出端功率: 1250W 供应商设备包装: NI-1230-4H
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规格参数

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制造厂商
噪声系数 -
额定电流（单位：安培） -
电压检测值 50 V
电流检测值 100毫安
额定电压 133伏
晶体管类别 LDMOS（双）
频率 230兆赫
增益 24分贝
输出端功率 1250W
包装/外壳 SOT-979A
供应商设备包装 NI-1230-4H

MMRF1306HR5 产品详情

这些高强度设备MMRF1306HR5和MMRF1306GSR5设计用于高VSWR CW或脉冲应用，例如HF、VHF和低频UHF雷达和高功率无线电通信。它们是无与伦比的输入和输出设计，允许从1.8到600 MHz的宽频率利用率。

特色

无与伦比的输入和输出，允许宽频率范围利用
设备可用于单端或推拉配置
最多50 VDD操作合格
对于扩展的功率范围，特性为30 V至50 V
适用于具有适当偏置的线性应用
集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，以改进C级操作
用串联等效大信号阻抗参数表征
符合RoHS
在磁带和卷轴中。R5后缀=50单位，56 mm胶带宽度，13英寸卷筒。
这些产品包含在我们的产品寿命计划中，在上市后至少15年内保证供应。

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MMRF1306HR5所属分类：场效应射频晶体管，MMRF1306HR5 由设计生产，可通过久芯网进行购买。MMRF1306HR5价格参考￥1407.736638，你可以下载 MMRF1306HR5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMRF1306HR5规格参数、现货库存、封装信息等信息！