特征
•超低导通电阻提供更高的效率
♦ RDS(开启)=0.215,VGS=10 V
♦ RDS(开启)=0.245,VGS=5.0 V
•低反向恢复损失
•内部RG=50
•专为42 V汽车电源管理解决方案设计
系统应用程序

NTMD3N08LR2
- 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 8-SOIC
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1374
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1374+ | 1.59343 | 2189.38381 |
- 库存: 139803
- 单价: ¥1.59344
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,189.38
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 工作温度 -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 部件状态 过时的
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 场效应管类型 2个N通道(双通道)
- 最大功率 3.1W
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 漏源电压标 (Vdss) 80V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.3A
- 导通电阻 Rds(ON) 215毫欧姆@2.5A,10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 480皮法 @ 25V
NTMD3N08LR2 产品详情
NTMD3N08LR2所属分类:场效应晶体管阵列,NTMD3N08LR2 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMD3N08LR2价格参考¥1.593438,你可以下载 NTMD3N08LR2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMD3N08LR2规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...