9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7750GTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7750GTRPBF价格参考126.994美元。Infineon Technologies IRF7750GTRPBF封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP。您可以下载IRF7750GTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7749L1TRPBF带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装盒功能，如DirectFET-15，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单十六进制漏极八进制源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为39 ns，上升时间为43 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为200 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为78ns，典型导通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为200nC，正向跨导Min为280S。
IRF7749L2TRPBF是MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms 200nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于17 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如78 ns，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，该器件还可以用作DirectFET商品名。此外，该技术为Si，器件的上升时间为43 ns，器件的漏极-源极电阻为1.1 mOhm，Qg栅极电荷为200 nC，Pd功耗为125 W，封装为卷轴，封装外壳为DirectFET-9，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为200 A，下降时间为39 ns，配置为单八进制源十六进制漏，通道模式为增强。
IRF7750是MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP，包括4.7A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在39nC@5V下工作，除了1700pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，该器件有一个封装管，最大功率为1W，最大Id Vgs的Rds为30mOhm@4.7A，4.5V，系列为HEXFET，供应商器件封装为8-TSSOP，Vgs最大Id为1.2V@250μa。
