9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN3G32DN8TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN3G32DN8TA参考价格为0.91000美元。Diodes Incorporated ZXMN3G32DN8TA封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC。您可以下载ZXMN3G32DN8TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN3F31DN8TA是MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC，包括ZXMN3系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为1.8W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为608pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.7A，最大Id Vgs上的Rds为24mOhm@7A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12.9nC@10V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为3.3 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为24 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为2.9ns，沟道模式为增强。
ZXMN3F318DN8TA，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN3F318DN8TA采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
ZXMN3F31DN8TC，电路图由10ZETEX制造。ZXMN3F31DN8TC采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
