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IPG20N06S4L11AATMA1，带引脚详情，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了IPG20N06S4L-11A SP001200162中使用的零件别名，该产品提供封装盒功能，如8-PowerVDFN，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装型。此外，信道数为1信道，该设备在PG-TDSON-8-10供应商设备包中提供，该设备具有2 N信道（双）FET型，最大功率为65W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为4020pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为20A，最大Id Vgs上的Rds为11.2mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为2.2V@28μA，栅极电荷Qg Vgs为53nC@10V，晶体管极性为N沟道。
IPG20N06S4L-11是MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，Rds漏极-源极电阻为11.2 mOhms，该器件提供65 W Pd功耗，该器件具有IPG20N06S4L1ATMA1 IPG20N66S4L11XT SP000705550部件别名，包装为卷轴式，封装盒为TDSON-8，通道数为2通道，安装样式为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，并且Id连续漏极电流为20A，并且配置为双重。
IPG20N06S415ATMA2是MOSFET 2N-CH 8TDSON，包括20A电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于29nC@10V，以及2260pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用8-PowerVDFN封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为50W，最大Id Vgs的Rds为15.5mOhm@17A，10V，系列为汽车、AEC-Q101、OptiMOS？、？，供应商设备包为PG-TDSON-8-4（5.15x6.15），Vgs th最大Id为4V@20μA。
