英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的P沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
特色
- 符合RoHS
- 低RDS(打开)
- 薄型(小于1.1 mm)
- 双P沟道MOSFET
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 6.20057 | 6.20057 |
10+ | 5.07606 | 50.76063 |
30+ | 4.50855 | 135.25659 |
100+ | 3.95155 | 395.15520 |
500+ | 3.61525 | 1807.62500 |
1000+ | 3.44709 | 3447.09900 |
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英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的P沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。