这些来自International Rectifier的N沟道MOSFET利用先进的处理技术实现了每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET的快速开关速度和坚固的器件设计 功率MOSFET为设计者提供了一种用于电池和负载管理的极其高效和可靠的器件。
•超低导通电阻
•N沟道MOSFET
•SOT-23占地面积
•薄型(<1.1mm)
•提供磁带和卷轴
•快速切换
特色
- 符合RoHS
- 行业领先的质量
- 快速切换
- 薄型(小于1.1mm)
- SOT-23占地面积
应用
- 直流开关
- 负载开关

起订量: 620
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 7.80670 | 780.67020 |
| 1000+ | 7.36479 | 7364.79800 |
| 3000+ | 6.55467 | 19664.01600 |
| 10000+ | 5.45198 | 54519.84000 |
| 50000+ | 5.14338 | 257169.30000 |
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这些来自International Rectifier的N沟道MOSFET利用先进的处理技术实现了每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET的快速开关速度和坚固的器件设计 功率MOSFET为设计者提供了一种用于电池和负载管理的极其高效和可靠的器件。
•超低导通电阻
•N沟道MOSFET
•SOT-23占地面积
•薄型(<1.1mm)
•提供磁带和卷轴
•快速切换

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。