2N7002VA

描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
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规格参数

部件状态可供货
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
制造厂商
安装类别表面安装
场效应管特性逻辑电平门
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
包装/外壳 SOT-563、SOT-66
场效应管类型 2个N通道（双通道）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
漏源电压标 (Vdss) 60V
供应商设备包装 SOT-563F
漏源电流 (Id) @ 温度 280毫安
导通电阻 Rds(ON) 7.5欧姆 @ 50毫安, 5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50皮法 @ 25V
最大功率 250mW

2N7002VA 产品详情

该N沟道增强型MOSFET使用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计旨在最大限度地减少导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。这可用于要求高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。该产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

特色

用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
电压控制小信号开关。
坚固可靠。
高饱和电流能力。

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。
小型伺服电机控制
功率MOSFET栅极驱动器

2N7002VA 相关器件

型号	制造商	描述	价格
2N7000RLRP	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CHAN 60V 200MA TO-92	¥0.28972
2N7002CK,215	恩智浦 (NXP)	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23	¥0.14486
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2N7002E,215	恩智浦 (NXP)	MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23	¥0.28972
2N7002KQBZ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 720毫安 (Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.89716
2N7002K 72K	江苏长电/长晶 (CJ)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA	¥0.18708
2N7002（丝印12W）	时科 (SHIKUES)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA	¥0.09601
2N7002-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A	¥0.1106
2N7002KD	富芯森美 (FUXINSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA	¥0.21651
2N7002T-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW	¥0.16258

2N7002VA所属分类：场效应晶体管阵列，2N7002VA 由设计生产，可通过久芯网进行购买。2N7002VA价格参考￥2.100441，你可以下载 2N7002VA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N7002VA规格参数、现货库存、封装信息等信息！