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EPC2100

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta)、40A(Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: EPC公司 (EPC)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 50.08181 50.08181
10+ 44.96538 449.65388
100+ 36.84044 3684.04440
500+ 31.36160 15680.80400
1000+ 26.44954 26449.54900
  • 库存: 415
  • 单价: ¥50.08182
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥50.08
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 最大功率 -
  • 制造厂商 EPC公司 (EPC)
  • 场效应管类型 2 N通道(半桥)
  • 场效应管特性 氮化镓
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳
  • 供应商设备包装 Die
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Ta)、40A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.2毫欧姆 @ 25A, 5V, 2.1毫欧姆 @ 25A, 5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4毫安时为2.5V,16毫安时为2.5 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 475皮法 @ 15V, 1960皮法 @ 15V

EPC2100 产品详情

来自高效功率转换(EPC)的EPC2100增强型氮化镓(eGaN)半桥晶体管是下一步,也是第一个实现比硅技术更快、更高效设计的功率器件。这是第一个基于EPC的集成电路�s eGaN工艺。该工艺设计用于在硅功率器件上制备分立增强型氮化镓。因此,EPC�由联合创始人乔·曹(Joe Cao)领导的设计团队需要开发额外的工艺,以隔离单个芯片上的各种高压设备。目标是制造一种能够阻挡高压并适应未来许多组件集成的工艺(EPC计划在未来几年推出一系列使用这种新工艺的IC产品)。然而,流程开发只是推出像整体式半桥那样先进的产品所需努力的一小部分。工程总承包�在Alana Nakata的领导下,我们的产品工程团队需要开发完全不同的芯片级封装和生产测试技术,以确保他们能够交付具有完美质量的芯片级IC。包括Johan Strydom和David Reusch在内的应用工程团队并行工作,以确保模具布局能够以最低的成本为客户提供最大的性能效益。然后,他们必须构建样本电路并对其进行测试,以确保他们能够兑现最先进的电源开关IC的承诺。单独来看,这些挑战中的每一个似乎都很简单,但它们都需要以非常协调的方式并行应对。
EPC2100所属分类:场效应晶体管阵列,EPC2100 由 EPC公司 (EPC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。EPC2100价格参考¥50.081816,你可以下载 EPC2100中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询EPC2100规格参数、现货库存、封装信息等信息!

EPC公司 (EPC)

EPC公司 (EPC)

EPC是增强型氮化镓电源管理设备的领导者。EPC是第一个在硅上引入增强模式氮化镓(eGaN®)在DC-DC转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥感技术(LiDAR)和D类音频放...

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