9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSS20600CF8T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSS20600CF8T1G参考价格0.19000美元。onsemi NSS20600CF8T1G包装/规格：TRANS PNP 20V 6A 8-CHIPFET。您可以下载NSS20600CF8T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSS20500UW3T2G是TRANS PNP 20V 5A 3-WDFN，包括NSS20500UW3系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如WDFN-3，配置设计用于单个，以及875 mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为-20 V，该器件具有晶体管极性PNP，集电极-发射器饱和电压为-0.27 V，集电极基极电压VCBO为-20 V、发射极基极电压VEBO为7 V，最大直流集电极电流为5 a，增益带宽乘积fT为100 MHz，且连续集电极电流为-5A，且DC集电极基极增益hfe Min为250。
NSS20501UW3T2G是双极晶体管-BJT LO V NPN晶体管20V 7.0A，包括NPN晶体管极性，它们设计用于NSS20501UW3系列，Pd功耗显示在数据表注释中，用于1500 mW，提供卷盘等封装功能，封装盒设计用于WDFN-3，以及SMD/SMT安装样式，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为7 A，该器件具有150 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为6 V，直流集电极基极增益hfe Min为200，配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为20 V，集电极-发射极饱和电压为110mV，集电极-基极电压VCBO为20V。
NSS20500UW3TBG带有电路图，包括卷筒包装，设计用于NSS20500UW3系列。
NSS20501UW3TBG带有EDA/CAD模型，包括卷筒包装，设计用于NSS20501UW3系列。
