9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSS12600CF8T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSS12600CF8T1G参考价格0.19000美元。onsemi NSS12600CF8T1G包装/规格：TRANS PNP 12V 5A CHIPFET。您可以下载NSS12600CF8T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSS12500UW3T2G是TRANS PNP 12V 5A 3-WDFN，其中包括NSS1250UW3系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如3-WDFN外露焊盘，安装类型设计为表面安装，以及3-WDFN（2x2）供应商设备封装，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为875mW，该器件为PNP晶体管型，该器件具有5A的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为12V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2A，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为260mV@400mA，4A，电流收集器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为875mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-12 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-200 mV，集电极基极电压VCBO为-12 V和发射极基极电压VEBO为7 V，最大DC集电极电流为5A，增益带宽乘积fT为100MHz，连续集电极电流是-5A，DC集电极基本增益hfe Min为250。
NSS122201LT1G是TRANS NPN 12V 2A SOT-23，包括12V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在200mA时工作90mV，2A Vce饱和最大值Ib Ic，单位重量如数据表注释所示，用于0.007090 oz，提供晶体管类型功能，如NPN，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及SOT-23-3（TO-236）供应商设备包，该设备也可以用作NSS12212L系列。此外，最大功率为460mW，该器件提供540 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR替代封装，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为2A，增益带宽积fT为150MHz，频率转换为150MHz；发射极基极电压VEBO为6V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@500mA，2V，直流集电极基极增益hFE最小为200，集电极Ic最大为2A，集电极截止最大为100nA（ICBO），集电极-发射极电压VCEO Max为12V，集电极-基极电压VCBO为12V。
NSS12200WT1G是TRANS PNP 12V 2A SC-88，包括-12 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在-170 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO最大值如数据表注释所示，用于-12 V，提供配置功能，如单次连续集电极电流设计为在-2 a下工作，除了100 DC集电极基极增益hfe Min，该器件还可以用作300 DC电流增益hfe Max。此外，发射极基极电压VEBO为-5 V，该器件提供100 MHz增益带宽乘积fT，该器件的最大DC集电极电流为-3 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-363-6，封装为卷轴式，Pd功耗为450mW，系列为NSS12200W，晶体管极性为PNP，单位重量为0.000265盎司。
NSS12501UW3T2G是双极晶体管-BJT LO V NPN晶体管12V 7.0A，包括WDFN封装盒，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供卷盘等封装功能，该器件也可以用作6V发射极基极电压VEBO。此外，最大直流集电极电流为5 A，该器件提供200直流集电极基极增益hfe Min，该器件具有1500 mW的Pd功耗，增益带宽乘积fT为150 MHz，集电极-发射极电压VCEO Max为12 V，集电极基极电压VCBO为12 V。其最大工作温度范围为+150 C，其最低工作温度范围为-55℃。
