这一新一代30V N+P沟道增强型MOSFET的设计旨在最小化RDS(开启),同时保持优异的开关性能。该设备非常适合直流风扇、电池包装和其他电源管理功能。

DMC3025LSD-13
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A, 4.2A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
 - 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
 - 交期:5-7 工作日
 
渠道: 
 - 自营
 - 得捷
 - 贸泽
 
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 | 
|---|---|---|
| 1+ | 3.69387 | 3.69387 | 
| 10+ | 3.13617 | 31.36176 | 
| 100+ | 2.34235 | 234.23540 | 
| 500+ | 1.84042 | 920.21050 | 
| 1000+ | 1.42214 | 1422.14300 | 
| 2500+ | 1.29662 | 3241.56000 | 
| 5000+ | 1.21304 | 6065.20500 | 
- 库存: 424641
 - 单价: ¥3.69388
 - 
                  数量:
                  - +
 - 总计: ¥3.69
 
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规格参数
- 部件状态 可供货
 - 安装类别 表面安装
 - 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
 - 场效应管特性 逻辑电平门
 - 漏源电压标 (Vdss) 30伏
 - 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
 - 场效应管类型 N和P通道
 - 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
 - 供应商设备包装 8-SO
 - 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
 - 漏源电流 (Id) @ 温度 6.5A, 4.2A
 - 导通电阻 Rds(ON) 20欧姆@7.4A,10V
 - 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.8nC @ 10V
 - 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 501皮法 @ 15V
 - 最大功率 1.2瓦
 
DMC3025LSD-13 产品详情
DMC3025LSD-13所属分类:场效应晶体管阵列,DMC3025LSD-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMC3025LSD-13价格参考¥3.693879,你可以下载 DMC3025LSD-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMC3025LSD-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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