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MMBT100是TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于MMBT100_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002116盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23-3供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为350mW，该设备具有晶体管型NPN，电流收集器Ic最大值为500mA，电压收集器-发射器击穿最大值为45V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@150mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为400mV@20mA，200mA，电流收集器截止最大值为50nA，频率转换为250MHz，Pd功耗为350mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为45 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.4 V，集电极基极电压VCBO为75 V，且发射极基极电压VEBO为6V，且最大DC集电极电流为0.5A，且增益带宽乘积fT为250MHz，且连续集电极电流是0.5A，并且DC集电极基极增益hfe Min为100，且DC电流增益hfe Max为450。
MMBT 3906 LT1是双极晶体管-BJT AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A，包括0.007090 oz单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于MMBT3906，提供Pd功耗功能，如330 mW，零件别名设计用于MMBT39006LT1HTSA1 MMBT3906LT1XT SP000011678，与卷筒包装一样，该设备也可以用作SOT-23包装箱，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该设备的最大直流集电极电流为0.2 a，增益带宽积fT为250 MHz（最小），发射极基极电压VEBO为6 V，并且DC集电极基极增益hfe Min在1V时在10uA时为60，并且配置为单，并且集电极-发射极电压VCEO Max为40V，并且集极基极电压VCBO为40V。
MMBT0520LT1G，带有ON制造的电路图。MMBT05220LT1G采用SOD-123封装，是IC芯片的一部分。
